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      22-10D,PS

      磁控濺射設備

      22-10D,PS
      產品描述
      參數

      技術要求和指標

      1、真空腔尺寸直徑500mm×高600mm(以最終設計尺寸為準),材質為優質不銹鋼。

      2、設備真空系統硬件選用一線品牌,極限真空度≤5.0×10℃Pa,系統漏率≤1.0×107Pa·L/s,分子泵滿轉后真空系統45分鐘可達到5.0×10 Pa。3.3、設備采用直流電源,可鍍金屬膜,磁控靶直流射頻兼容。

      4、設備滿足四靶共濺射鍍膜,配置3英寸標準磁控靶4個,永磁靶和強磁靶均可鍍膜。

      5、設備滿足陶瓷或金屬或復合材料樣品的鍍膜,鍍膜方式可實現單層膜,可分別鍍多層膜,也可實現多層同時鍍膜(即合金膜)。

      6、樣品臺具有加熱和旋轉功能,可放置直徑50mm的樣品鍍膜,最高的加溫溫度不低于600℃,控溫精度:±1℃,樣品臺自轉轉速0~30轉/分可控,均可實現計算機采集控制。

      7、樣品臺與磁控靶高度距離不低于60mm,且可調整。

      8、氣體流量控制,實現計算機采集控制。

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